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Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 40 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V Maximum Drain Current |Id|: 3.8 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 78 nC Rise Time (tr): 140 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 160 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 2.4 Ohm

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STP6N60

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Descrição

Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 40 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 3.8 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 78 nC
Rise Time (tr): 140 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 160 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 2.4 Ohm

Dados do produto

Referência STP6N60

Ficha informativa

Tipo: MOSFET

RDS: 2.4Ohm

Canal: N-CH

Tensão: 600V

Corrente: 3.8A

Potência: 40W

Caixa: TO220

Montagem: THT

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