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AOD409 - MOSFET, P-CH, 60V, 26A, 60W, 0.04 Ohm, TO252

Type Designator: AOD409
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 60 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 60 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 2.4 V
Maximum Drain Current |Id|: 26 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Rise Time (tr): 14.5 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 241 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.04 Ohm
Package: TO-252

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