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STF24NM65N - MOSFET, N-CH, 650V, 19A, 40W, 0.19Ohm, TO220F - STF24NM65N
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STF24NM65N - MOSFET, N-CH, 650V, 19A, 40W, 0.19Ohm, TO220F Type Designator: STF24NM65N Marking Code: 24NM65N Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 40 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 650 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V Maximum Drain Current |Id|: 19 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 70 nC Rise Time (tr): 10 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 120 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.19 Ohm Package: TO220FP
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STF24NM65N
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STF24NM65N - MOSFET, N-CH, 650V, 19A, 40W, 0.19Ohm, TO220F

Type Designator: STF24NM65N
Marking Code: 24NM65N
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 40 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 650 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 19 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 70 nC
Rise Time (tr): 10 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 120 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.19 Ohm
Package: TO220FP

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