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FDP027N08B

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FDP027N08B - MOSFET, N-CH, 80V, 120A, 246W, 0.0027Ohm, TO220

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Maximum Drain Current |Id|: 120 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 137 nC
Rise Time (tr): 66 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 1670 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0027 Ohm
Package: TO220

Dados do produto

Referência FDP027N08B

Ficha informativa

Tipo: MOSFET

RDS: 0.0027Ohm

Canal: N-CH

Tensão: 80V

Corrente: 120A

Potência: 246W

Caixa: TO220

Montagem: THT

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