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Type Designator: FGH75T65UPD Type of IGBT Channel: N-Channel Maximum Power Dissipation (Pc), W: 375 Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 650 Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 1.65 Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 20 Maximum Collector Current |Ic|, A: 150 Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 175 Rise Time, nS: 43 Maximum Collector Capacity (Cc), pF: 205 Package: TO247

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Type Designator: FGH75T65UPD
Type of IGBT Channel: N-Channel
Maximum Power Dissipation (Pc), W: 375
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 650
Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 1.65
Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 20
Maximum Collector Current |Ic|, A: 150
Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 175
Rise Time, nS: 43
Maximum Collector Capacity (Cc), pF: 205
Package: TO247

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