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Informação do produto Transistor Polarity: N Channel Continuous Drain Current Id: 35A Drain Source Voltage Vds: 30V On Resistance Rds(on): 0.0062ohm Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V Transistor Mounting: Surface Mount Threshold Voltage Vgs: 2.5V Power Dissipation Pd: 39W Transistor Case Style: PowerPAK 1212 No. of Pins: 8Pins Operating Temperature Max: 150°C Product Range: TrenchFET

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SISH114ADN-T1-GE3

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Transistor Polarity: N Channel
Continuous Drain Current Id: 35A
Drain Source Voltage Vds: 30V
On Resistance Rds(on): 0.0062ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
Transistor Mounting: Surface Mount
Threshold Voltage Vgs: 2.5V
Power Dissipation Pd: 39W
Transistor Case Style: PowerPAK 1212
No. of Pins: 8Pins
Operating Temperature Max: 150°C
Product Range: TrenchFET

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