SISHA10DN-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 30A, 39W, 0.0028Ohm

Informação do produto Transistor Polarity: N Channel Continuous Drain Current Id: 30A Drain Source Voltage Vds: 30V On Resistance Rds(on): 0.0028ohm Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V Transistor Mounting: Surface Mount Threshold Voltage Vgs: 2.2V Power Dissipation Pd: 39W Transistor Case Style: PowerPAK 1212 No. of Pins: 8Pins Operating Temperature Max: 150°C Product Range: TrenchFET
1,85 €
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Referência:
SISHA10DN-T1-GE3
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Descrição

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Transistor Polarity: N Channel
Continuous Drain Current Id: 30A
Drain Source Voltage Vds: 30V
On Resistance Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
Transistor Mounting: Surface Mount
Threshold Voltage Vgs: 2.2V
Power Dissipation Pd: 39W
Transistor Case Style: PowerPAK 1212
No. of Pins: 8Pins
Operating Temperature Max: 150°C
Product Range: TrenchFET

Dados do produto
SISHA10DN-T1-GE3
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