Clique para mais produtos.
Não foram encontrados produtos.
IPD30N06S2L-13 - MOSFET, N-CH, 55V, 30A, 136W, 0.013Ohm - IPD30N06S2L-13
IPD30N06S2L-13 - MOSFET, N-CH, 55V, 30A, 136W, 0.013Ohm - IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13 - MOSFET, N-CH, 55V, 30A, 136W, 0.013Ohm

TPCA8109 - MOSFET, P-CH, 30V, 24A, 30W, SOP8
IRLR2905PBF - MOSFET, N-CH, 55V, 42A, 110W, 0.027Ohm, TO252
Type Designator: IPD30N06S2L-13 Marking Code: 2N06L13 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 136 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 55 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 2 V Maximum Drain Current |Id|: 30 A Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C Total Gate Charge (Qg): 54 nC Rise Time (tr): 43 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 508 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.013 Ohm Package: TO252
4,31 €
Com IVA
Em Stock
Partilhar
Código QR
Referência:
IPD30N06S2L-13
Favorito0
Adicionar à lista de desejos
Produtos relacionados
Sem items
Descrição

Type Designator: IPD30N06S2L-13
Marking Code: 2N06L13
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 136 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 55 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 2 V
Maximum Drain Current |Id|: 30 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 54 nC
Rise Time (tr): 43 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 508 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.013 Ohm
Package: TO252

Dados do produto
IPD30N06S2L-13
Opiniões
Sem comentários
16 outros produtos na mesma categoria:
Clientes que compraram este produto também compraram:

Código QR

Opções

Clique para mais produtos.
Não foram encontrados produtos.

Por favor inicie sessão primeiro.

Iniciar Sessão

Crie uma conta gratuita para gravar produtos favoritos.

Iniciar Sessão

Criar uma conta gratuita para criar listas de desejos.

Iniciar Sessão