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CSD18536KCS

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Descrição

Type Designator: CSD18536KCS
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 375 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 60 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 2.2 V
Maximum Drain Current |Id|: 200 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 83 nC
Rise Time (tr): 17 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 1700 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0016 Ohm
Package: TO-220

Dados do produto

Referência CSD18536KCS

Ficha informativa

Tipo: MOSFET

RDS: 0.0016Ohm

Canal: N-CH

Tensão: 60V

Corrente: 200A

Potência: 375W

Caixa: TO220

Montagem: THT

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