MDF4N60BTH - MOSFET, N-CH, 600V, 4.6A, 34.7W, 2Ohm, TO220F

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MDF4N60BTH - MOSFET, N-CH, 600V, 4.6A, 34.7W, 2Ohm, TO220F

Type Designator: MDF4N60BTH
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 34.7 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 4.6 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 20 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 60 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 2 Ohm
Package: TO-220F

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