Clique para mais produtos.
Não foram encontrados produtos.
SIHG70N60EF - MOSFET, N-CH, 600V, 70A, 0.038 Ohm, TO247AC - SIHG70N60
SIHG70N60EF - MOSFET, N-CH, 600V, 70A, 0.038 Ohm, TO247AC - SIHG70N60

SIHG70N60EF - MOSFET, N-CH, 600V, 70A, 0.038 Ohm, TO247AC

FS10VSJ-2 - MOSFET, N-CH, 100V, 10A, 30W, 0.19 Ohm, DPAK
SI4840BDY-T1-E3 - MOSFET, N-CH, 40V, 19A, 6W, 0.0074Ohm, SO8
SIHG70N60EF - MOSFET, N-CH, 600V, 70A, 0.038 Ohm, TO247AC Type Designator: SIHG70N60EF Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 520 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V Maximum Drain Current |Id|: 70 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 253 nC Rise Time (tr): 107 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 378 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.038 Ohm Package: TO-247AC
15,99 €
Com IVA
Disponível em armazem remoto 1-3 Dias
Partilhar
Código QR
Referência:
SIHG70N60
Favorito0
Adicionar à lista de desejos
Produtos relacionados
Sem items
Descrição

SIHG70N60EF - MOSFET, N-CH, 600V, 70A, 0.038 Ohm, TO247AC

Type Designator: SIHG70N60EF
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 520 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 70 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 253 nC
Rise Time (tr): 107 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 378 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.038 Ohm
Package: TO-247AC

Dados do produto
SIHG70N60
Opiniões
Sem comentários
16 outros produtos na mesma categoria:

Código QR

Opções

Clique para mais produtos.
Não foram encontrados produtos.

Por favor inicie sessão primeiro.

Iniciar Sessão

Crie uma conta gratuita para gravar produtos favoritos.

Iniciar Sessão

Criar uma conta gratuita para criar listas de desejos.

Iniciar Sessão