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STB26N60M2

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Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Informação do produto

Channel Type:
N Channel
Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
20A
Drain Source Voltage Vds:
600V
Drain Source On State Resistance:
0.14ohm
On Resistance Rds(on):
0.14ohm
Transistor Case Style:
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage:
10V
Transistor Mounting:
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max:
3V
Power Dissipation Pd:
169W
Power Dissipation:
169W
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C

Dados do produto

Referência STB26N60M2

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