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5,54 €

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Referência:

FDA18N50

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Descrição

Type Designator: FDA18N50
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 239 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V
Maximum Drain Current |Id|: 19 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 45 nC
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.265 Ohm
Package: TO3PN

Dados do produto

Referência FDA18N50

Ficha informativa

Tipo: MOSFET

RDS: 0.265Ohm

Canal: N-CH

Tensão: 500V

Corrente: 19A

Potência: 239W

Caixa: TO3P

Montagem: THT

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