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FMH21N50ES - MOSFET, N-CH, 500V, 21A, 285W, 0.27Ohm, TO3P - FMH21N50ES
FMH21N50ES - MOSFET, N-CH, 500V, 21A, 285W, 0.27Ohm, TO3P - FMH21N50ES

FMH21N50ES - MOSFET, N-CH, 500V, 21A, 285W, 0.27Ohm, TO3P

2SK2607 - MOSFET, N-CH, 800V, 9A, 150W, 1.2Ohm, TO3P
WML08N80M3 - MOSFET, N-CH, 800V, 7A, 29W, 1.38Ohm, TO220F
Type Designator: FMH21N50ES Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 285 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4.7 V Maximum Drain Current |Id|: 21 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 68 nC Rise Time (tr): 33 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 320 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.27 Ohm Package: TO-3P-Q
12,30 €
Com IVA
Disponível em Armazém Remoto 4-6 Semanas
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Referência:
FMH21N50ES
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Descrição

Type Designator: FMH21N50ES
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 285 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4.7 V
Maximum Drain Current |Id|: 21 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 68 nC
Rise Time (tr): 33 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 320 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.27 Ohm
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FMH21N50ES
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