SPP11N60S5 - Mosfet, N, Coolmos, TO-220 11A 650V - SPP11N60S5

SPP11N60S5 - Mosfet, N, Coolmos, TO-220 11A 650V - SPP11N60S5

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Type Designator: SPP11N60S5 Marking Code: 11N60S5 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 125 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5.5 V Maximum Drain Current |Id|: 11 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 41.5 nC Rise Time (tr): 35 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 610 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.38 Ohm Package: TO220 Marking Code 11N60S5

5,54 €

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SPP11N60S5

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Descrição

Type Designator: SPP11N60S5
Marking Code: 11N60S5
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 125 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5.5 V
Maximum Drain Current |Id|: 11 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 41.5 nC
Rise Time (tr): 35 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 610 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.38 Ohm
Package: TO220

Marking Code 11N60S5

Dados do produto

Referência SPP11N60S5

Ficha informativa

Tipo: MOSFET

RDS: 0.38Ohm

Canal: N-CH

Tensão: 600V

Corrente: 11A

Potência: 125W

Caixa: TO220

Montagem: THT

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