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FDP26N40 - MOSFET, N-CH, 400V, 26A, 265W, 0.16Ohm, TO220 - FDP26N40
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FDP26N40 - MOSFET, N-CH, 400V, 26A, 265W, 0.16Ohm, TO220 Type Designator: FDP26N40 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 265 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 400 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V Maximum Drain Current |Id|: 26 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 48 nC Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.16 Ohm Package: TO220
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FDP26N40
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FDP26N40 - MOSFET, N-CH, 400V, 26A, 265W, 0.16Ohm, TO220

Type Designator: FDP26N40
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 265 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 400 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V
Maximum Drain Current |Id|: 26 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 48 nC
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.16 Ohm
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