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Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 51 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 23 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 16 V, + 16 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 180 W
Modo de canal: Enhancement
Embalagem: Tube
Configuração: Single
Altura: 16.3 mm
Comprimento: 10.67 mm
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Largura: 4.7 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tempo de queda: 110 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 55 ns

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