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Referência:
2SJ327-Z
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Descrição

Type Designator: 2SJ327-Z
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 20 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 60 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Drain Current |Id|: 4 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 35 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 410 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.17 Ohm
Package: TO252

Dados do produto
2SJ327-Z

Ficha informativa

Tipo
MOSFET
RDS
0.17Ohm
Canal
P-CH
Tensão
60V
Corrente
4A
Potência
20W
Caixa
TO252
Montagem
SMD
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