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SMK630F - MOSFET, N-CH, 200V, 9A, 30W, 0.4Ohm, TO220F - SMK630
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SMK630F - MOSFET, N-CH, 200V, 9A, 30W, 0.4Ohm, TO220F Type Designator: SMK630F Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 30 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 200 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V Maximum Drain Current |Id|: 9 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Rise Time (tr): 92 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 99 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.4 Ohm Package: TO-220F
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SMK630
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SMK630F - MOSFET, N-CH, 200V, 9A, 30W, 0.4Ohm, TO220F

Type Designator: SMK630F
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 30 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 200 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Drain Current |Id|: 9 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 92 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 99 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.4 Ohm
Package: TO-220F

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