Type Designator: STD1NK80ZT4
Marking Code: D1NK80Z
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 45 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 800 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4.5 V
Maximum Drain Current |Id|: 1 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 7.7 nC
Rise Time (tr): 30 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 26 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 16 Ohm
Package: DPAK
Tipo:MOSFET
Canal:N-CH
Tensão:800V
Corrente:1A
Potência:45W
RDS:16Ohm
Caixa:DPAK
Montagem:SMD
Ficha informativa
- Tipo
- MOSFET
- RDS
- 16Ohm
- Canal
- N-CH
- Tensão
- 800V
- Corrente
- 1A
- Potência
- 45W
- Caixa
- DPAK
- Montagem
- SMD