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4,31 €

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Em Stock

Disponível a partir de: 2018-08-30

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STD5NM60T4

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Descrição

STD5NM60T4 - MOSFET, N-CH, 650V, 5A, 96W, 0.9Ohm, DPACK

Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 5 A
Tipo de Encapsulado IPAK
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 1 O
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima 5V
Tensión de umbral de puerta mínima 4V
Disipación de Potencia Máxima 96 W
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±30 V
Número de Elementos por Chip 1
Tensión de diodo directa 1.5V
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Altura 6.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs 13 nC @ 10 V
Longitud 6.6mm
Ancho 2.4mm

Dados do produto

Referência STD5NM60T4

Ficha informativa

Tipo: MOSFET

RDS: 0.9Ohm

Canal: N-CH

Tensão: 650V

Corrente: 5A

Potência: 96W

Caixa: DPACK

Montagem: THT

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