FQP27P06 - MOSFET, P-CH, 60V, 27A, 120W, 0.070Ohm, TO220

FQP27P06 - MOSFET, P-CH, 60V, 27A, 120W, 0.070Ohm, TO220

Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: P-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id - Corrente de drenagem contínua: - 27 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 70 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: 25 V
Qg - Carga na porta: 43 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 120 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: QFET
Embalagem: Tube
Configuração: Single
Altura: 16.3 mm
Comprimento: 10.67 mm
Série: FQP27P06
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tipo: MOSFET
Largura: 4.7 mm
Transcondutância em avanço - Mín: 12.4 S
Tempo de queda: 90 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 185 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 30 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 18 ns