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FQB1P50TM - MOSFET, P-CH, 500V, 1.5A, 63W, 10.5 Ohm, D2PAK - FQB1P50TM
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FQB1P50TM - MOSFET, P-CH, 500V, 1.5A, 63W, 10.5 Ohm, D2PAK Type Designator: FQB1P50TM Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: P -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 63 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V Maximum Drain Current |Id|: 1.5 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 11 nC Rise Time (tr): 25 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 40 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 10.5 Ohm Package: D2-PAK
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FQB1P50TM
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FQB1P50TM - MOSFET, P-CH, 500V, 1.5A, 63W, 10.5 Ohm, D2PAK

Type Designator: FQB1P50TM
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 63 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V
Maximum Drain Current |Id|: 1.5 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 11 nC
Rise Time (tr): 25 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 40 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 10.5 Ohm
Package: D2-PAK

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