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STD13NM60ND - Mosfet, N, 600V, 11A, 109W, 0.38Ohm, TO-252 - STD13NM60ND
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STD13NM60ND - Mosfet, N, 600V, 11A, 109W, 0.38Ohm, TO-252 Type Designator: STD13NM60ND Marking Code: 13NM60ND Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 109 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V Maximum Drain Current |Id|: 11 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 24.5 nC Rise Time (tr): 10 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 47 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.38 Ohm Package: DPAK
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STD13NM60ND
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STD13NM60ND - Mosfet, N, 600V, 11A, 109W, 0.38Ohm, TO-252

Type Designator: STD13NM60ND
Marking Code: 13NM60ND
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 109 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V
Maximum Drain Current |Id|: 11 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 24.5 nC
Rise Time (tr): 10 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 47 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.38 Ohm
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