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MMIS60R580PTH - MOSFET, N-CH, 600V, 8A, 0.58Ohm, TO251 - MMIS60R580PTH
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MMIS60R580PTH - MOSFET, N-CH, 600V, 8A, 0.58Ohm, TO251

HY3210P - MOSFET, N-CH, 100V, 120A, 237W, 0.0085Ohm, TO220F
SI2301CDS - MOSFET, P-CH, 20V, 3.1A, 1.6W, 0.11Ohm, SOT23
Type Designator: MMIS60R580PTH Marking Code: 60R580P Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 70 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V Maximum Drain Current |Id|: 8 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 18 nC Rise Time (tr): 34 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 428 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.58 Ohm Package: TO-251
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MMIS60R580PTH
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Descrição

Type Designator: MMIS60R580PTH
Marking Code: 60R580P
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 70 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 8 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 18 nC
Rise Time (tr): 34 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 428 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.58 Ohm
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MMIS60R580PTH
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