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FDS6930B - MOSFET, N-CH, 30V, 5.5A, 2W, 0.038Ohm, SOIC8 - FDS6930B
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FDS6930B - MOSFET, N-CH, 30V, 5.5A, 2W, 0.038Ohm, SOIC8 Type Designator: FDS6930B Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 2 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Drain Current |Id|: 5.5 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.038 Ohm Package: SOIC
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FDS6930B
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FDS6930B - MOSFET, N-CH, 30V, 5.5A, 2W, 0.038Ohm, SOIC8

Type Designator: FDS6930B
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 2 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Drain Current |Id|: 5.5 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.038 Ohm
Package: SOIC

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FDS6930B
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