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Categoria de produto: MOSFET RoHS: Detalhes Tecnologia: Si Estilo de montagem: SMD/SMT Caixa / Gabinete: TO-252-3 Polaridade do transistor: N-Channel Número de canais: 1 Channel Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V Id - Corrente de drenagem contínua: 3 A Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2 Ohms Vgs - Voltagem de porta e fonte: 30 V Qg - Carga na porta: 15 nC Temperatura operacional mínima: - 55 C Temperatura operacional máxima: + 150 C Pd - Dissipação de potência: 40 W

3,08 €

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FDD5N50UTM

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Descrição

Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 3 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: 30 V
Qg - Carga na porta: 15 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 40 W

Dados do produto

Referência FDD5N50UTM

Ficha informativa

Tipo: MOSFET

RDS: 0.075Ohm

Canal: N-CH

Tensão: 500V

Corrente: 3A

Potência: 40W

Caixa: TO252

Montagem: SMD

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