2SK1119 - MOSFET, N-CH, 1000V, 4A, 100W, 3.8Ohm, TO220

2SK1119 - MOSFET, N-CH, 1000V, 4A, 100W, 3.8Ohm, TO220 Type Designator: 2SK1119 Marking Code: K1119 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 100 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 1000 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 3.5 V Maximum Drain Current |Id|: 4 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 60 nC Rise Time (tr): 18 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 100 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 3.8 Ohm Package: TO220AB
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Referência:
2SK1119
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Descrição

2SK1119 - MOSFET, N-CH, 1000V, 4A, 100W, 3.8Ohm, TO220

Type Designator: 2SK1119
Marking Code: K1119
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 100 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 1000 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 3.5 V
Maximum Drain Current |Id|: 4 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 60 nC
Rise Time (tr): 18 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 100 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 3.8 Ohm
Package: TO220AB

Dados do produto
2SK1119

Ficha informativa

Tipo
MOSFET
RDS
3.8Ohm
Canal
N-CH
Tensão
1000V
Corrente
4A
Potência
100W
Caixa
TO220
Montagem
THT
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