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Type Designator: FK18SM-12 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 275 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V Maximum Drain Current |Id|: 18 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Drain-Source Capacitance (Cd): 2800 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.54 Ohm Package: TO3P

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Type Designator: FK18SM-12
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 275 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Drain Current |Id|: 18 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Drain-Source Capacitance (Cd): 2800 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.54 Ohm
Package: TO3P

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