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STB80NF03L-04 - MOSFET, N-CH, 30V, 80A, 300W, D2PAK - STB80NF03L
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STB80NF03L-04 - MOSFET, N-CH, 30V, 80A, 300W, D2PAK Type Designator: STB80NF03L-04 Marking Code: 80NF03L-04 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 300 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 1 V Maximum Drain Current |Id|: 80 A Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C Total Gate Charge (Qg): 85 nC Rise Time (tr): 270 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 1670 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.004 Ohm
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STB80NF03L
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STB80NF03L-04 - MOSFET, N-CH, 30V, 80A, 300W, D2PAK

Type Designator: STB80NF03L-04
Marking Code: 80NF03L-04
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 300 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 1 V
Maximum Drain Current |Id|: 80 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 85 nC
Rise Time (tr): 270 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 1670 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.004 Ohm

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