SGH40N60UFD - MOSFET, N-CH, 600V, 20A, TO3P

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SGH40N60UFD - MOSFET, N-CH, 600V, 20A, TO3P Type Designator: SGH40N60UFD Type of IGBT Channel: N-Channel Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 600 Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 2 Maximum Collector Current |Ic|, A: 20 Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150 Rise Time, nS: 50 Package: TO3P

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SGH40N60UFD - MOSFET, N-CH, 600V, 20A, TO3P

Type Designator: SGH40N60UFD
Type of IGBT Channel: N-Channel
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 600
Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 2
Maximum Collector Current |Ic|, A: 20
Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150
Rise Time, nS: 50
Package: TO3P

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