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IRF7389 - MOSFET, NP-CH, 30V, 7.3A, 2.5W, 0.029Ohm, SOIC8 - IRF7389
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IRF7389 - MOSFET, NP-CH, 30V, 7.3A, 2.5W, 0.029Ohm, SOIC8 Type Designator: IRF7389 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: NP -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 2.5 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 1 V Maximum Drain Current |Id|: 7.3 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 22 nC Rise Time (tr): 8.9 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 320 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.029 Ohm Package: SO8
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IRF7389
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IRF7389 - MOSFET, NP-CH, 30V, 7.3A, 2.5W, 0.029Ohm, SOIC8

Type Designator: IRF7389
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: NP -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 2.5 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 1 V
Maximum Drain Current |Id|: 7.3 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 22 nC
Rise Time (tr): 8.9 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 320 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.029 Ohm
Package: SO8

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