STB100NF04T4 - MOSFET, N-CH, 40V, 120A, 300W, 0.0046Ohm, TO2

Marking Code: B100NF04 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 300 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 40 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V Maximum Drain Current |Id|: 120 A Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C Total Gate Charge (Qg): 110 nC Rise Time (tr): 220 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 1300 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0046 Ohm Package: D2PAK
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Referência:
STB100NF04T4
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Descrição

Marking Code: B100NF04
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 300 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 40 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 120 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 110 nC
Rise Time (tr): 220 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 1300 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0046 Ohm
Package: D2PAK

Dados do produto
STB100NF04T4

Ficha informativa

Tipo
MOSFET
RDS
0.0046Ohm
Canal
N-CH
Tensão
40V
Corrente
120A
Potência
300W
Caixa
TO252
Montagem
SMD
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