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FDD850N10L

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FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.9nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1465pF @ 25V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)

Dados do produto

Referência FDD850N10L

Ficha informativa

Tipo: MOSFET

RDS: 0.075Ohm

Canal: N-CH

Tensão: 100V

Corrente: 15.7A

Potência: 50W

Caixa: TO252

Montagem: SMD

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