SIR876ADP-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 40A, 62.5W, 0.009Ohm

SIR876ADP-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 40A, 62.5W, 0.009Ohm, PowerPAK-SO-8

Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: PowerPAK-SO-8
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 40 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 9 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1.5 V
Qg - Carga na porta: 49 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 62.5 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: TrenchFET, PowerPAK
Embalagem: Cut Tape
Embalagem: MouseReel
Embalagem: Reel
Configuração: Single
Série: SIR
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín: 54 S
Tempo de queda: 8 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 8 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 28 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 11 ns