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IPD50N06S4L-12 - MOSFET, N-CH, 60V, 50A, 50W, 0.012Ohm TO252 - IPD50N06S4L12
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IPD50N06S4L-12 - MOSFET, N-CH, 60V, 50A, 50W, 0.012Ohm TO252

STB26N60M2 - MOSFET, N-CH, 600V, 20A, 169W, 0.14Ohm, TO263
IPL65R230C7 - MOSFET, N-CH, 650V, 10A, 67W, 0.23Ohm THINKPAD
Type Designator: IPD50N06S4L-12 Marking Code: 4N06L12 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 50 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 60 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 16 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 2.2 V Maximum Drain Current |Id|: 50 A Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C Total Gate Charge (Qg): 30 nC Rise Time (tr): 2 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 540 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.012 Ohm Package: TO252
3,08 €
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Referência:
IPD50N06S4L12
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Descrição

Type Designator: IPD50N06S4L-12
Marking Code: 4N06L12
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 50 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 60 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 16 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 2.2 V
Maximum Drain Current |Id|: 50 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 30 nC
Rise Time (tr): 2 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 540 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.012 Ohm
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Dados do produto
IPD50N06S4L12
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