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IPL65R230C7 - MOSFET, N-CH, 650V, 10A, 67W, 0.23Ohm THINKPAD - IPL65R230C7
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IPL65R230C7 - MOSFET, N-CH, 650V, 10A, 67W, 0.23Ohm THINKPAD8X8 Type Designator: IPL65R230C7 Marking Code: 65C7230 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 67 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 650 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V Maximum Drain Current |Id|: 10 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Rise Time (tr): 5 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 14 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.23 Ohm
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IPL65R230C7
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IPL65R230C7 - MOSFET, N-CH, 650V, 10A, 67W, 0.23Ohm THINKPAD8X8

Type Designator: IPL65R230C7
Marking Code: 65C7230
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 67 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 650 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 10 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 5 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 14 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.23 Ohm

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