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STF12N65M2 - MOSFET, N-CH, 650V 8A 25W 0.5Ohm TO220F - STF12N65M2
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Type Designator: STF12N65M2 Marking Code: 12N65M2 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 25 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 650 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V Maximum Drain Current |Id|: 8 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 16.5 nC Rise Time (tr): 7 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 25 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.5 Ohm Package: TO-220FP
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Referência:
STF12N65M2
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Descrição

Type Designator: STF12N65M2
Marking Code: 12N65M2
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 25 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 650 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 8 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 16.5 nC
Rise Time (tr): 7 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 25 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.5 Ohm
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STF12N65M2
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