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PMGD780SN.115 - MOSFET, N-CH, 60V, 0.31A, 0.41W, 1.7Ohm, SOT363 Fabricante NEXPERIA Tipo de transístor N-MOSFET x2 Polarização unipolar Tensão dreno-fonte 60V Corrente de dreno 0.31A Potência dissipada 410mW Carcaça SOT363 Tensão porta-fonte ±20V Resistência no estado de condução 1.7O Montagem SMD Carga da porta 1.05nC

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PMGD780SN.115 - MOSFET, N-CH, 60V, 0.31A, 0.41W, 1.7Ohm, SOT363

Fabricante NEXPERIA
Tipo de transístor N-MOSFET x2
Polarização unipolar
Tensão dreno-fonte 60V
Corrente de dreno 0.31A
Potência dissipada 410mW
Carcaça SOT363
Tensão porta-fonte ±20V
Resistência no estado de condução 1.7O
Montagem SMD
Carga da porta 1.05nC

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