FGA60N65SMD - MOSFET, N-CH, 650V, 120A, 600W, TO3P - FGA60N65SMD

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FGA60N65SMD - MOSFET, N-CH, 650V, 120A, 600W, TO3P #1 - FGA60N65SMD

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FGA60N65SMD - MOSFET, N-CH, 650V, 120A, 600W, TO3P

Type Designator: FGA60N65SMD
Type of IGBT Channel: N-Channel
Maximum Power Dissipation (Pc), W: 600
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 650
Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 2.5
Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 20
Maximum Collector Current |Ic|, A: 120
Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 175
Rise Time, nS: 47
Maximum Collector Capacity (Cc), pF: 270
Package: TO-3PN

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