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CS1N60 - MOSFET, N-CH, 600V, 1A, 1W, 10.5 Ohm, TO92 - CS1N60
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CS1N60 - MOSFET, N-CH, 600V, 1A, 1W, 10.5 Ohm, TO92 Type Designator: CS1N60 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 1 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V Maximum Drain Current |Id|: 1 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Drain-Source Capacitance (Cd): 25 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 10.5 Ohm Package: TO92
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CS1N60
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CS1N60 - MOSFET, N-CH, 600V, 1A, 1W, 10.5 Ohm, TO92

Type Designator: CS1N60
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 1 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Drain Current |Id|: 1 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Drain-Source Capacitance (Cd): 25 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 10.5 Ohm
Package: TO92

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CS1N60
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