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AOB298L

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Descrição

Type Designator: AOB298L
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 100 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4.1 V
Maximum Drain Current |Id|: 58 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Rise Time (tr): 14 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 727 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0145 Ohm
Package: TO-263

Dados do produto

Referência AOB298L

Ficha informativa

Tipo: MOSFET

RDS: 0.0145Ohm

Canal: N-CH

Tensão: 100V

Corrente: 58A

Potência: 100W

Caixa: TO263

Montagem: SMD

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