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NTD4808N-1G - MOSFET, N-CH, 30V, 63A, 54.6W, 0.0067Ohm - NTD4808N-1G
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NTD4808N-1G - MOSFET, N-CH, 30V, 63A, 54.6W, 0.0067Ohm, TO251 Informação do produto Channel Type: N Channel Transistor Polarity: N Channel Continuous Drain Current Id: 63A Drain Source Voltage Vds: 30V Drain Source On State Resistance: 0.0067ohm On Resistance Rds(on): 0.0067ohm Rds(on) Test Voltage: 10V Transistor Mounting: Through Hole Gate Source Threshold Voltage Max: 2.5V Power Dissipation Pd: 54.6W Transistor Case Style: TO-251 Power Dissipation: 54.6W No. of Pins: 3Pins Operating Temperature Max: 175°C
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NTD4808N-1G
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Descrição

NTD4808N-1G - MOSFET, N-CH, 30V, 63A, 54.6W, 0.0067Ohm, TO251

Informação do produto

Channel Type: N Channel
Transistor Polarity: N Channel
Continuous Drain Current Id: 63A
Drain Source Voltage Vds: 30V
Drain Source On State Resistance: 0.0067ohm
On Resistance Rds(on): 0.0067ohm
Rds(on) Test Voltage: 10V
Transistor Mounting: Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max: 2.5V
Power Dissipation Pd: 54.6W
Transistor Case Style: TO-251
Power Dissipation: 54.6W
No. of Pins: 3Pins
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NTD4808N-1G
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