HGTG30N60B3D - IGBT, N, 600V, 30A, 208W, TO-247
HGTG30N60B3D - IGBT, N, 600V, 30A, 208W, TO-247
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HGTG30N60B3D
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Tensão:100V
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Potência:115W
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Montagem:THT
6,09 €
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Polaridade do transistor: N-Channel Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 1 kV Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte: 20 V Id - Corrente de drenagem contínua: 4.3 A Rds On - Fonte de drenagem na resistência:...
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Informação do produto
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SKiiP16GH066V1 - H-bridge InverterSingle-phase inverter up to 9.5 kVA; Single-phase motor power 4 kW
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Transistor Polarity N Channel
Continuous Drain Current Id 20A
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1,85 €
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FDD6612A - Mosfet N, 30V, 30A, 36W, 0.02 Ohm, DPAK Transistor, Polaridad: Canal NIntensidad Drenador Continua Id: 9.5ATensión Drenaje-Fuente Vds: 30VResistencia de Activación Rds(on): 20mohmTensión Vgs de Medición...
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Brand: Infineon Technologies Product: IGBT Silicon Modules Configuration: 2-Phase Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.65 V Maximum Operating Temperature: + 150 C...
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