Polaridade do transistor: N-Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 1 kV
Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte: 20 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 4.3 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 3.5 hms Configuração: Single
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 150 W
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Marca: Fairchild Semiconductor
Modo de canal: Enhancement
Tempo de queda: 50 ns
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Tempo de ascensão: 50 ns