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FDD6612A - Mosfet N, 30V, 30A, 36W, 0.02 Ohm, DPAK - FDD6612
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FDD6612A - Mosfet N, 30V, 30A, 36W, 0.02 Ohm, DPAK Transistor, Polaridad: Canal NIntensidad Drenador Continua Id: 9.5ATensión Drenaje-Fuente Vds: 30VResistencia de Activación Rds(on): 20mohmTensión Vgs de Medición Rds(on): 10VTensión Umbral Vgs: 2VDis ...
1,85 €
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Disponível a partir de: 2014-05-28
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FDD6612
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Descrição

FDD6612A - Mosfet N, 30V, 30A, 36W, 0.02 Ohm, DPAK

Transistor, Polaridad: Canal N
Intensidad Drenador Continua Id: 9.5A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 30V
Resistencia de Activación Rds(on): 20mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 2V
Disipación de Potencia Pd: 36W
Diseño de Transistor: TO-252
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
Intensidad Id Max: 30A
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +175°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vds Típ.: 30V
Tensión Vgs Máx.: 2V
Tensión, Medida de Vgs Rds on: 10V
Tipo de Terminación: SMD

Dados do produto
FDD6612
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