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SI2308BDS-T1-E3 - MOSFET, N CH, 60V, 0.13OHM, 2.3A, SOT-23 - SI2308BDS
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SI2308BDS-T1-E3 - MOSFET, N CH, 60V, 0.13OHM, 2.3A, SOT-23

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1,48 €
Com IVA
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Disponível a partir de: 2014-06-20
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Referência:
SI2308BDS
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Descrição

MOSFET, N CH, 60V, 0.13OHM, 2.3A, SOT-23
Transistor, Polaridad: Canal N
Intensidad Drenador Continua Id: 2.3A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 60V
Resistencia de Activación Rds(on): 0.13ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 1V
Disipación de Potencia Pd: 1.66W
Diseño de Transistor: SOT-23
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): -
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C

Dados do produto
SI2308BDS
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