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SI2309CDS-T1-GE3 - Transístor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1,3A; 1,1W; SOT23

Especificação

Tipo de transístor
P-MOSFET
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
-60V
Corrente de dreno
-1.3A
Potência dissipada
1.1W
Carcaça
SOT23
Tensão descarga-fonte
±20V
Resistência no estado de condução
0.45O
Montagem
SMD
Carga da porta
2.7nC
Espécie de canal
enriquecido

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Referência SI2309CDS-T1-GE3

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