SI2308BDS-T1-E3 - MOSFET, N CH, 60V, 2.3A, SOT23

SI2309CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CH, 60V, 1.3A, SOT23

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SI2308BDS-T1-E3 - Transístor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2,3A; Idm: 8A; 1,06W; SOT23 Especificação Fabricante VISHAY Tipo de transístor N-MOSFET Polarização unipolar Tensão dreno-fonte 60V Corrente de dreno 2.3A Corrente de dreno em impulso 8A Potência dissipada 1.06W Carcaça SOT23 Tensão descarga-fonte ±20V Resistência no estado de condução 156mO Montagem SMD Carga da porta 6.8nC Espécie de canal enriquecido

0,98 €

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SI2308BDS-T1-E3

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SI2308BDS-T1-E3 - Transístor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2,3A; Idm: 8A; 1,06W; SOT23

Especificação

Fabricante
VISHAY
Tipo de transístor
N-MOSFET
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
60V
Corrente de dreno
2.3A
Corrente de dreno em impulso
8A
Potência dissipada
1.06W
Carcaça
SOT23
Tensão descarga-fonte
±20V
Resistência no estado de condução
156mO
Montagem
SMD
Carga da porta
6.8nC
Espécie de canal
enriquecido

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Referência SI2308BDS-T1-E3

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