IXTP50N25T- Mosfet N, 250V, 50A, 400W, 0.06 Ohm, TO247 - IXTP50N25T
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IXTP50N25T- Mosfet N, 250V, 50A, 400W, 0.06 Ohm, TO220

olaridade do transistor:N-Channel Tensão de ruptura do dreno - fonte:250 V Tensão de ruptura do gate - fonte:+/- 30 V Corrente de dreno contínua:50 A Fonte de drenagem na resistência:60 mOhms Configuração:Single Temperatura operacional máxima:+ 150 C Estilo de montagem:Through Hole Caixa / Gabinete:TO-220AB Embalagem:Tube Temperatura operacional mínima:- 55 C Dissipação de energia:400 W

4,90 €

4.9 Sem IVA

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olaridade do transistor:N-Channel
Tensão de ruptura do dreno - fonte:250 V
Tensão de ruptura do gate - fonte:+/- 30 V
Corrente de dreno contínua:50 A
Fonte de drenagem na resistência:60 mOhms
Configuração:Single
Temperatura operacional máxima:+ 150 C
Estilo de montagem:Through Hole
Caixa / Gabinete:TO-220AB
Embalagem:Tube
Temperatura operacional mínima:- 55 C
Dissipação de energia:400 W

Referência IXTP50N25T
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